在时珈一与庞特里亚金做思想斗争的时候，K格勃又又送来了信封！
她进宿舍后，拆开信封，抽出信纸，开始读。
“亲爱的时”
“你的信收到了。首先恭喜你完成了LVDT闭环控制系统的研究，发表论文是每个研究者的重要时刻。威廉的新书你能喜欢，我也很高兴。他说他不认识你，但很高兴他的书能帮到一个远在M斯科的年轻学者。”
看到这里，时珈一怀疑理查德润色了不少。
就威廉那个性格......她实在是不敢相信人家会因为帮助一个人而高兴的样子。
继续读下去。
“你问的关于硅太阳能电池和硅提纯的问题，我仔细想了一下，有些东西我不能写下来，你知道为什么。但我可以告诉你一些大致的方向。”
“关于硅提纯，我们这边目前采用的主要方法是区域提纯。原理我之前大概跟你提过，用一个加热环沿着硅锭缓慢移动，利用杂质在液态和固态中的溶解度差异，把杂质赶向硅锭的一端。多次重复这个过程，可以得到高纯度的硅单晶。”
“至于你问的九个九的纯度，这个目标目前还很难达到，我们在实验室里能做到的最好水平大约是七个九。”
时珈一看到这里的时候眯了眯眼睛。
她很清楚理查德在撒谎。因为1954年贝尔实验室就攻克了9个9的硅提纯难关，在她和他通信之前，不然人家为什么会研究出太阳能电池和光刻技术？
而且自己从通信开始就一直在误导他们。也不知道到底有没有起到什么作用？
不过这上面提到的区域提纯她是知道的，这个方法在五十年代初就已经公开了，不是什么秘密。其实就是直拉法和悬浮法。
理查德提的就是悬浮法，悬浮法成本非常昂贵，她根本没有条件。
她记得贝尔实验室制作的芯片是改良过的直拉法，也就是说，和传统的直拉法并不一样。
不过，理查德没提，应该是这个也在保密范围内。
算了，她以后再自己慢慢试吧。
“你提到的高精度导航和传感系统中应用硅材料，这个想法很有意思。我查了一下资料，目前还没有看到这方面的公开报道。”
“硅材料的主要优势在于热稳定性和机械强度，如果用在传感器上，理论上应该比锗更适合。”
“但硅的加工难度比锗大得多，尤其是切割和研磨，很容易产生裂纹。我们这边的工艺组试过用金刚石砂轮切割硅片，效果不太理想，还在摸索更好的方法。”
“对了，你提到的控制策略，我很感兴趣。可惜你说论文还没发表，不便多说。”
“我理解学术界的规矩，只是有点迫不及待想看看你们那边的新思路。如果你方便的话，能不能稍微透露一点大概的方向？比如是线性控制还是非线性控制？是基于模型还是无模型？我只是好奇。”
“期待你的回信，期待你更多的分享。”
“你真诚的，理查德。”
光纤陀螺仪中的敏感元件材料这个方向，她就是随便写的，虽然也没骗人。
但用硅基材料做敏感元件根本不是目前工艺能做到的，理查德居然还一本正经地去查了资料，还告诉她目前没有看到这方面的公开报道，就说明他对这个信息感兴趣了。
至于后面理查德会问LVDT的事，算是在时珈一的意料之中。
她得想想怎么回。
而且她还是要了解一下对方是否有按照她误导的方向，有没有做相关的实验，或者说进展如何了。
同时，她还要看看自己在集成电路的方向上到底还缺了什么。
想到这里，时珈一没急着回信，而是拿出笔记本开始一条条的写集成电路的制作必备条件。
第一是圆晶制备，也就是拉9个9的单晶硅，目前知道工艺技术有直拉法和悬浮法，需要自己多做尝试。其中切割、抛光、化学腐蚀等方法已攻略。
理查德说硅的切割难，是因为他们没有用超声波，自己这方面是没有问题的。
第二是热氧化，也就是生长二氧化硅，这个方向理查德已经给了提醒。用石英管高温炉，通入高纯度氧气或水蒸气，具体温度在900-1200度之间，也需要多做尝试温度的准确性。
第三就是光刻，她自己是知道这上面需要涂覆液态光刻胶，并且将画有电路图的玻璃掩模板紧贴在上面，用紫外光进行曝光。曝光后的光刻胶发生性质改变，放入显影液中洗去未曝光部分，露出需要掺杂的二氧化硅窗口。
但这个过程很容易产生污染，并且光刻胶本身的分辨率有限，所以她要解决的是洁净室的问题。
时珈一打了个叉，她没有十个亿来解决这个问题。
第四步，扩散掺杂，将光刻好的硅片放入扩散炉，通入含有磷或硼的气体，在高温下让杂质原子穿过窗口渗入硅中，形成N型或P型区，这个步骤她很清楚，也会做，唯一的问题是苏国用的是管式炉扩散，温度波动有点大，导致优良差异大。没关系。有一个能用就行。
第五步是去胶与清洗，扩散完成后，必须去除残留的光刻胶。她记得美帝是用强酸煮沸或有机溶剂浸泡的化学湿法去胶，随后用超纯水冲洗。但容易残留有机物或损伤金属层。
除非.......除非她把60年代出来的等离子去胶技术给攻克了。
但这样又回到了原点，等离子工艺对洁净度要求极高，哪怕一粒灰尘落在晶圆上都会导致报废。
而且.......目前的知识让她对等离子体中“自由基”、“离子轰击”等微观化学反应机理的认识还非常浅薄........
时珈一摇摇头，算了算了，去胶先将就吧。
第六步是光刻与刻蚀，也就是再度光刻，像理查德说的，在需要引出电极的地方开出窗口。
在真空镀膜机中蒸镀铝，利用光刻胶保护电路，用酸液腐蚀掉多余的铝，形成金属导线。
需要掌握真空蒸镀铝工艺和湿法腐蚀工艺。
这个方法苏国已经有了，只是设备比较简陋。
第七步就是封装了，苏国是人工封装，但是时珈一自己之前给国家做过一个焊接工艺，对于密封性而言绝对没有对手。
这一步她可以解决。
时珈一写完后，仔细看了看，发现她现在最大的问题，居然是没有钱！
不然完全可以给华国捐一个洁净室！
有了洁净室，她就可以先试着做出一个低配版寿命短的集成电路了......
唉，梦想和现实隔了一条黄金河。